
SIZF918DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIZF918DT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZF918DT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZF918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIZF918DT-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 17 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PowerPair® (6x5) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 250µA, 2,3V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22nC przy 10V, 56nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1060pF przy 15V, 2650pF przy 15V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne), dioda Schottky'ego | Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-PowerPair® (6x5) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc) | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4mOhm przy 10A, 10V, 1.9mOhm przy 10A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,26000 zł | 9,26 zł |
| 10 | 5,94600 zł | 59,46 zł |
| 100 | 4,05720 zł | 405,72 zł |
| 500 | 3,24932 zł | 1 624,66 zł |
| 1 000 | 2,98952 zł | 2 989,52 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,65985 zł | 7 979,55 zł |
| 6 000 | 2,49401 zł | 14 964,06 zł |
| 9 000 | 2,43412 zł | 21 907,08 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,26000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,38980 zł |











