
SIZF906DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZF906DT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZF906DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIZF906DT-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PowerPair® (6x5) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (półmostek) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 60A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3,8mOhm przy 15A, 10V, 1,17mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 22nC przy 4,5V, 92nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2000pF przy 15V, 8200pF przy 15V | |
Moc - maks. | 38W (Tc), 83W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TA) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-PowerWDFN | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-PowerPair® (6x5) | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,09000 zł | 8,09 zł |
| 10 | 5,18300 zł | 51,83 zł |
| 100 | 3,51870 zł | 351,87 zł |
| 500 | 2,80700 zł | 1 403,50 zł |
| 1 000 | 2,69910 zł | 2 699,10 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,28773 zł | 6 863,19 zł |
| 6 000 | 2,20515 zł | 13 230,90 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,09000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,95070 zł |


