
SIZ270DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIZ270DT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZ270DT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZ270DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIZ270DT-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 55 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 7,1A (Ta), 19,5A (Tc), 6,9A (Ta), 19,1A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIZ270DT-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 27nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 860pF przy 50V, 845pF przy 50V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 4,3W (Ta), 33W (Tc) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7,1A (Ta), 19,5A (Tc), 6,9A (Ta), 19,1A (Tc) | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 37,7mOhm przy 7A, 10V, 39,4mOhm przy 7A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,04000 zł | 8,04 zł |
| 10 | 5,14900 zł | 51,49 zł |
| 100 | 3,48670 zł | 348,67 zł |
| 500 | 2,77482 zł | 1 387,41 zł |
| 1 000 | 2,54591 zł | 2 545,91 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,25538 zł | 6 766,14 zł |
| 6 000 | 2,10921 zł | 12 655,26 zł |
| 9 000 | 2,03477 zł | 18 312,93 zł |
| 15 000 | 2,01175 zł | 30 176,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,04000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,88920 zł |

