
SIZ200DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIZ200DT-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 33 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIZ200DT-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5,5mOhm przy 10A, 10V, 5,8mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 28nC przy 10V, 30nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1510pF przy 15V, 1600pF przy 15V | |
Moc - maks. | 4,3W (Ta), 33W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-PowerWDFN | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-PowerPair® (3,3x3,3) | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,71000 zł | 5,71 zł |
| 10 | 3,60100 zł | 36,01 zł |
| 100 | 2,40170 zł | 240,17 zł |
| 500 | 1,88636 zł | 943,18 zł |
| 1 000 | 1,72046 zł | 1 720,46 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,50981 zł | 4 529,43 zł |
| 6 000 | 1,40381 zł | 8 422,86 zł |
| 9 000 | 1,35878 zł | 12 229,02 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,71000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,02330 zł |


