Name: SISH625DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH625DN-T1-GE3TR-ND
Price: 4.5018 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISH625DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISH625DN-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17,3A (Ta), 35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4427 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 1212-8SH
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 1212-8SH
Bazowy numer produktu	SISH625