Name: SIA471DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA471DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 4.7601 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SIA471DJ-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIA471DJ-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIA471DJ-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIA471DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIA471DJ-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 12,9A (Ta), 30,3A (Tc) 3,5W (Ta), 19,2W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIA471DJ-T1-GE3 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12,9A (Ta), 30,3A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	14mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	27.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+16V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1170 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,5W (Ta), 19,2W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SC-70-6
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SC-70-6
Bazowy numer produktu	SIA471

Cena jednostkowa bez VAT:	3,87000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	4,76010 zł

SIA471DJ-T1-GE3