
SISH101DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SISH101DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISH101DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISH101DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISH101DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 30 V 16,9A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISH101DN-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 102 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±25V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3595 pF @ 15 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8SH |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,2mOhm przy 15A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,46000 zł | 5,46 zł |
| 10 | 3,43600 zł | 34,36 zł |
| 100 | 2,27940 zł | 227,94 zł |
| 500 | 1,78290 zł | 891,45 zł |
| 1 000 | 1,62311 zł | 1 623,11 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,42016 zł | 4 260,48 zł |
| 6 000 | 1,31801 zł | 7 908,06 zł |
| 9 000 | 1,26598 zł | 11 393,82 zł |
| 15 000 | 1,20753 zł | 18 112,95 zł |
| 21 000 | 1,17294 zł | 24 631,74 zł |
| 30 000 | 1,17150 zł | 35 145,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,46000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,71580 zł |










