
SISF20DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISF20DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 55 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SCD podwójne |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 33nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1290pF przy 30V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8SCD podwójne |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8SCD podwójne |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 14A (Ta), 52A (Tc) | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13mOhm przy 7A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,30000 zł | 9,30 zł |
| 10 | 5,98600 zł | 59,86 zł |
| 100 | 4,08600 zł | 408,60 zł |
| 500 | 3,27316 zł | 1 636,58 zł |
| 1 000 | 3,01189 zł | 3 011,89 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,50493 zł | 7 514,79 zł |
| 6 000 | 2,45566 zł | 14 733,96 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,30000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,43900 zł |

