
SIS990DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIS990DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 42 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 12,1A 25W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIS990DN-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 250pF przy 50V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 25W |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12,1A | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 85mOhm przy 8A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,53000 zł | 5,53 zł |
| 10 | 3,48300 zł | 34,83 zł |
| 100 | 2,31320 zł | 231,32 zł |
| 500 | 1,81056 zł | 905,28 zł |
| 1 000 | 1,64872 zł | 1 648,72 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,44320 zł | 4 329,60 zł |
| 6 000 | 1,33976 zł | 8 038,56 zł |
| 9 000 | 1,28707 zł | 11 583,63 zł |
| 15 000 | 1,22789 zł | 18 418,35 zł |
| 21 000 | 1,19394 zł | 25 072,74 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,53000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,80190 zł |







