Name: SIS990DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS990DN-T1-GE3TR-ND
Price: 6.4821 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIS990DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIS990DN-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 12,1A 25W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIS990DN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12,1A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	85mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	250pF przy 50V
Moc - maks.	25W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 1212-8 podwójny
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 1212-8 podwójny
Bazowy numer produktu	SIS990