Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 4.1451 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIS932EDN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIS932EDN-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIS932EDN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22mOhm przy 10A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1000pF przy 15V
Moc - maks.	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 1212-8 podwójny
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 1212-8 podwójny
Bazowy numer produktu	SIS932

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 244

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)