Name: SIS9122DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS9122DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.09492 PLN
Availability: OutOfStock

Nowości w DigiKey

MOSFET - układy 100V 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIS9122DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIS9122DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIS9122DN-T1-GE3
Opis	DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 160mOhm przy 2,5A, 10V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 6nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 210pF przy 50V
Status części Aktywny	Moc - maks. 2,3W (Ta), 17,8W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanał N	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,5A (Ta), 7,1A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8 podwójny

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma i szpula (TR)