
SIS903DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIS903DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 38 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 6A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIS903DN-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 42nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2565pF przy 10V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne) | Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc) | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 20,1mOhm przy 5A, 4,5V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,54000 zł | 6,54 zł |
| 10 | 4,13700 zł | 41,37 zł |
| 100 | 2,77100 zł | 277,10 zł |
| 500 | 2,18458 zł | 1 092,29 zł |
| 1 000 | 1,99595 zł | 1 995,95 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,75643 zł | 5 269,29 zł |
| 6 000 | 1,63590 zł | 9 815,40 zł |
| 9 000 | 1,57451 zł | 14 170,59 zł |
| 15 000 | 1,50557 zł | 22 583,55 zł |
| 21 000 | 1,50365 zł | 31 576,65 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,54000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,04420 zł |











