Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 6.8019 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIS890ADN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIS890ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIS890ADN-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 7,6A (Ta), 24,7A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 29 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1330 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,6W (Ta), 39W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7,6A (Ta), 24,7A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25,5mOhm przy 10A, 10V	Bazowy numer produktu SIS890
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA