
SIS606BDN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIS606BDN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 29 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 9,4A (Ta), 35,3A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 7,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 17,4mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1470 pF @ 50 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,43000 zł | 7,43 zł |
| 10 | 4,75400 zł | 47,54 zł |
| 100 | 3,21380 zł | 321,38 zł |
| 500 | 2,55438 zł | 1 277,19 zł |
| 1 000 | 2,40791 zł | 2 407,91 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,07301 zł | 6 219,03 zł |
| 6 000 | 1,96725 zł | 11 803,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,43000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,13890 zł |











