Name: SIS427EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS427EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 4.9077 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIS427EDN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIS427EDN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS427EDN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIS427EDN-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 50A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIS427EDN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,6mOhm przy 11A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1930 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 1212-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 1212-8
Bazowy numer produktu	SIS427