Name: SIS427EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS427EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 5.1291 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIS427EDN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIS427EDN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS427EDN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIS427EDN-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 50A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIS427EDN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 66 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1930 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 50A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIS427
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10,6mOhm przy 11A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 61 872

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)