Name: SIRA00DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA00DP-T1-RE3-ND
Price: 3.13188 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIRA00DP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	SIRA00DP-T1-RE3-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIRA00DP-T1-RE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 220 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) +20V, -16V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 11700 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 104W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIRA00
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1mOhm przy 20A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma i szpula (TR)