
SIRA00DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIRA00DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIRA00DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIRA00DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIRA00DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 30 V 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIRA00DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 220 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -16V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 11700 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,65000 zł | 10,65 zł |
| 10 | 6,90600 zł | 69,06 zł |
| 100 | 4,76530 zł | 476,53 zł |
| 500 | 3,94336 zł | 1 971,68 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 3,22172 zł | 9 665,16 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,65000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 13,09950 zł |











