Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIR770DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIR770DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR770DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR770DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIR770DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 38 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 8A 17,8W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 8A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 21mOhm przy 8A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,8V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 21nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 900pF przy 15V | |
Moc - maks. | 17,8W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,83000 zł | 8,83 zł |
| 10 | 5,66600 zł | 56,66 zł |
| 100 | 3,85760 zł | 385,76 zł |
| 500 | 3,08278 zł | 1 541,39 zł |
| 1 000 | 2,83372 zł | 2 833,72 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,51761 zł | 7 552,83 zł |
| 6 000 | 2,35859 zł | 14 151,54 zł |
| 9 000 | 2,28465 zł | 20 561,85 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,83000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,86090 zł |




