
SIR638DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIR638DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR638DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIR638DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 33 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIR638DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 40 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 0,88mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 204 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -16V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 10500 pF @ 20 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 104W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,71000 zł | 8,71 zł |
| 10 | 5,60700 zł | 56,07 zł |
| 100 | 3,82320 zł | 382,32 zł |
| 500 | 3,06056 zł | 1 530,28 zł |
| 1 000 | 2,99589 zł | 2 995,89 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,50411 zł | 7 512,33 zł |
| 6 000 | 2,44763 zł | 14 685,78 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,71000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,71330 zł |


