Kanał N 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3G100GNTB

Numer produktu DigiKey
RQ3G100GNTBTR-ND - Taśma i szpula (TR)
RQ3G100GNTBCT-ND - Taśma cięta (CT)
RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta
RQ3G100GNTB
Opis
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
RQ3G100GNTB Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
10A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
14,3mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
8.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
615 pF @ 20 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2W (Ta)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-HSMT (3,2x3)
Obudowa / skrzynia
8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu
RQ3G100
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 48 879
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
13,09000 zł3,09 zł
101,91400 zł19,14 zł
1001,23700 zł123,70 zł
5000,94488 zł472,44 zł
1 0000,85070 zł850,70 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 0000,73093 zł2 192,79 zł
6 0000,67061 zł4 023,66 zł
9 0000,63987 zł5 758,83 zł
15 0000,60533 zł9 079,95 zł
21 0000,58488 zł12 282,48 zł
30 0000,56501 zł16 950,30 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:3,09000 zł
Cena jednostkowa z VAT:3,80070 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
3 Pozycje
RQ3E110AJTB

RQ3E110AJTB

MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT

Rohm Semiconductor

4,42000 zł
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

8,22000 zł
DI040P04PT-AQ

DI040P04PT-AQ

MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A

Diotec Semiconductor

5,03000 zł