Name: SIR5812DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND
Price: 6.5313 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIR5812DP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIR5812DP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIR5812DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR5812DP-T1-RE3
Opis	MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 13A (Ta), 45,3A (Tc) 4,1W (Ta), 50W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13,5mOhm przy 10A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 775 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 4,1W (Ta), 50W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 13A (Ta), 45,3A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 980

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	5,31000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	6,53130 zł

Mogą Cię również zainteresować

1 Pozycje

DMN10H220LE-13

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Diodes Incorporated

SIR5812DP-T1-RE3