Name: DMN10H220LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H220LE-13DITR-ND
Price: 4.4526 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN10H220LE-13
Numer produktu DigiKey	DMN10H220LE-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN10H220LE-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN10H220LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN10H220LE-13
Opis	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 2,3A (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN10H220LE-13 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	220mOhm przy 1,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	401 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,8W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-223-3
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	DMN10