Name: SIR5208DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND
Price: 7.5522 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIR5208DP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIR5208DP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIR5208DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR5208DP-T1-RE3
Opis	N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 48A (Ta), 165A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,3mOhm przy 10A, 8V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,3V przy 250µA
Seria TrenchFET® Gen V	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 68 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +8V, -7V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4100 pF @ 10 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 48A (Ta), 165A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 8V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8