
SIR410DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIR410DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 20 V 35A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 4,8mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1600 pF @ 10 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 4,2W (Ta), 36W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,89000 zł | 5,89 zł |
| 10 | 3,71900 zł | 37,19 zł |
| 100 | 2,48370 zł | 248,37 zł |
| 500 | 1,95334 zł | 976,67 zł |
| 1 000 | 1,78268 zł | 1 782,68 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,56596 zł | 4 697,88 zł |
| 6 000 | 1,45688 zł | 8 741,28 zł |
| 9 000 | 1,41825 zł | 12 764,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,89000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,24470 zł |











