Name: SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR186LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 7.7244 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIR186LDP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	742-SIR186LDP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIR186LDP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIR186LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR186LDP-T1-RE3
Opis	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 23,8A (Ta), 80,3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIR186LDP-T1-RE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,4mOhm przy 15A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria TrenchFET® Gen IV	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 48 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1980 pF @ 30 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 5W (Ta), 57W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 23,8A (Ta), 80,3A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8