
SPW35N60C3FKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SPW35N60C3FKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SPW35N60C3FKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 34,6A (Tc) 313W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SPW35N60C3FKSA1 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,9V przy 1,9mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 200 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4500 pF @ 25 V |
Status części Nie do nowych projektów | Straty mocy (maks.) 313W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO247-3-1 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 100mOhm przy 21,9A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG44N65EF-GE3-ND | 21,78754 zł | Bezpośrednie |
| FCH077N65F-F085 | onsemi | 1 646 | FCH077N65F-F085-ND | 42,52000 zł | Similar |
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 201 | FCH077N65F-F155-ND | 39,61000 zł | Similar |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | 57,20000 zł | Similar |
| IXFX48N60Q3 | IXYS | 38 | IXFX48N60Q3-ND | 122,41000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 37,63000 zł | 37,63 zł |
| 30 | 22,23433 zł | 667,03 zł |
| 120 | 18,85108 zł | 2 262,13 zł |
| 510 | 16,37349 zł | 8 350,48 zł |
| 1 020 | 16,08678 zł | 16 408,52 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 37,63000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 46,28490 zł |









