SIHD7N60ET4-GE3 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,58333 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 10,52000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,88008 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,59580 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 8 734
Cena jednostkowa : 9,66000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 345
Cena jednostkowa : 16,91000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 193
Cena jednostkowa : 10,74000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,91000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,34000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 4 098
Cena jednostkowa : 15,80000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHD7N60ET4-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHD7N60ET4-GE3-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Numer produktu producenta
SIHD7N60ET4-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
40 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
680 pF @ 100 V
Status części
Aktywny
Straty mocy (maks.)
78W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
600mOhm przy 3,5A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (10)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHD7N60E-E3Vishay Siliconix0SIHD7N60E-E3-ND3,58333 złOdpowiednik parametryczny
SIHD7N60E-GE3Vishay Siliconix30SIHD7N60E-GE3-ND10,52000 złOdpowiednik parametryczny
SIHD7N60ET1-GE3Vishay Siliconix0742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND2,88008 złOdpowiednik parametryczny
SIHD7N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHD7N60ET5-GE3-ND2,59580 złOdpowiednik parametryczny
IPD80R450P7ATMA1Infineon Technologies8 734IPD80R450P7ATMA1CT-ND9,66000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 0002,59580 zł7 787,40 zł
6 0002,55845 zł15 350,70 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:2,59580 zł
Cena jednostkowa z VAT:3,19283 zł