Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHD2N80AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 180 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 62,5W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,9Ohm przy 500mA, 10V |
Zgłoś błąd informacji o produkcie
Dokumenty i media
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 1 559
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,75000 zł | 6,75 zł |
| 10 | 4,29500 zł | 42,95 zł |
| 100 | 2,88090 zł | 288,09 zł |
| 500 | 2,27492 zł | 1 137,46 zł |
| 1 000 | 2,07993 zł | 2 079,93 zł |
| 3 000 | 1,83242 zł | 5 497,26 zł |
| 6 000 | 1,70786 zł | 10 247,16 zł |
| 12 000 | 1,60320 zł | 19 238,40 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,75000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,30250 zł |
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
5 Pozycje
