
SIHD180N60E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHD180N60E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHD180N60E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 15 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 32 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1080 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 156W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia D-PAK |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 195mOhm przy 9,5A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4 975 | 1801-TSM60NE285CPROGCT-ND | 14,29000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 14,83000 zł | 14,83 zł |
| 10 | 9,71300 zł | 97,13 zł |
| 100 | 6,81250 zł | 681,25 zł |
| 500 | 5,57408 zł | 2 787,04 zł |
| 1 000 | 5,17625 zł | 5 176,25 zł |
| 3 000 | 4,67167 zł | 14 015,01 zł |
| 6 000 | 4,62764 zł | 27 765,84 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 14,83000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 18,24090 zł |

