


SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB25N50E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 86 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1980 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 250W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 500 V | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 145mOhm przy 12A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 17,67000 zł | 17,67 zł |
| 10 | 11,67700 zł | 116,77 zł |
| 100 | 8,27820 zł | 827,82 zł |
| 500 | 6,82762 zł | 3 413,81 zł |
| 1 000 | 6,36182 zł | 6 361,82 zł |
| 2 000 | 5,97039 zł | 11 940,78 zł |
| 5 000 | 5,87096 zł | 29 354,80 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 17,67000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 21,73410 zł |










