Name: SIHB12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N60E-GE3-ND
Price: 12.6444 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SIHB12N60E-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHB12N60E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHB12N60E-GE3
Opis	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	380mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	937 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	147W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	SIHB12

Cena jednostkowa bez VAT:	10,28000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,64440 zł

SIHB12N60E-GE3