SIHB12N60E-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,70499 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,70499 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,61000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 988
Cena jednostkowa : 17,56000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,87000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,76000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,81000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 6 595
Cena jednostkowa : 16,05000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 8 039
Cena jednostkowa : 10,99000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 592
Cena jednostkowa : 22,80000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHB12N60E-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta
15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
58 nC @ 10 V
Opakowanie
Zbiorcze
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
937 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
147W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
380mOhm przy 6A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (12)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHB12N60ET1-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET1-GE3-ND3,70499 złOdpowiednik parametryczny
SIHB12N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET5-GE3-ND3,70499 złOdpowiednik parametryczny
AOB15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1261-2-ND0,00000 złSimilar
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1543-1-ND14,61000 złSimilar
FCB11N60TMonsemi988FCB11N60TMCT-ND17,56000 złSimilar
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
110,81000 zł10,81 zł
106,98100 zł69,81 zł
1004,80590 zł480,59 zł
5003,87590 zł1 937,95 zł
1 0003,57701 zł3 577,01 zł
2 0003,32573 zł6 651,46 zł
5 0003,05399 zł15 269,95 zł
10 0003,00730 zł30 073,00 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:10,81000 zł
Cena jednostkowa z VAT:13,29630 zł