Odpowiednik parametryczny
Similar
Similar
Similar
Similar



SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB12N60ET1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 600 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 380mOhm przy 6A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 58 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 937 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 147W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263 (D2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 800 | 3,49379 zł | 2 795,03 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,49379 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,29736 zł |




