Name: SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND
Price: 19.0404 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIDR510EP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIDR510EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIDR510EP-T1-RE3
Opis	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8DC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIDR510EP-T1-RE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,6mOhm przy 20A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET® Gen V	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 81 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4980 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 33A (Ta), 148A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8DC
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8