Name: RBE034N15R1SZQ4#GB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE034N15R1SZQ4#GB0TR-ND
Price: 40.098 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Kanał N 150 V 200A (Tc) 366W (Tc) Montaż powierzchniowy Opłata

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RBE034N15R1SZQ4#GB0
Numer produktu DigiKey	559-RBE034N15R1SZQ4#GB0TR-ND - Taśma i szpula (TR) 559-RBE034N15R1SZQ4#GB0CT-ND - Taśma cięta (CT) 559-RBE034N15R1SZQ4#GB0DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	RBE034N15R1SZQ4#GB0
Opis	MOSFET N-CH 150V 200A TOLL
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 200A (Tc) 366W (Tc) Montaż powierzchniowy Opłata
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,7V przy 250µA
Prod. Renesas Electronics Corporation	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 86 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6200 pF @ 75 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 366W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 200A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia Opłata
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,4mOhm przy 100A, 10V