Name: SIDR104AEP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR104AEP-T1-RE3TR-ND
Price: 18.1425 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIDR104AEP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	742-SIDR104AEP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIDR104AEP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIDR104AEP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIDR104AEP-T1-RE3
Opis	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 21,1A (Ta), 90,5A (Tc) 6,5W (Ta), 120W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8DC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21,1A (Ta), 90,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,1mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3250 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	6,5W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8DC
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8