Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 18.1056 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIDR5802EP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIDR5802EP-T1-RE3
Opis	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8DC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIDR5802EP-T1-RE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 60 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen V	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3020 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8DC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 34,2A (Ta), 153A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIDR5802
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,9mOhm przy 20A, 10V