


SIDR5802EP-T1-RE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIDR5802EP-T1-RE3 |
Opis | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 33 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8DC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIDR5802EP-T1-RE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 80 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 7,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 2,9mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3020 pF @ 40 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 7,5W (Ta), 150W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8DC | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,07000 zł | 13,07 zł |
| 10 | 8,53100 zł | 85,31 zł |
| 100 | 5,95670 zł | 595,67 zł |
| 500 | 5,19662 zł | 2 598,31 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 4,24560 zł | 12 736,80 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,07000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 16,07610 zł |











