
SIA975DJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIA975DJ-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIA975DJ-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIA975DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIA975DJ-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 13 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 12V 4,5A 7,8W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIA975DJ-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały P (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 12V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 4,5A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 41mOhm przy 4,3A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 26nC przy 8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1500pF przy 6V | |
Moc - maks. | 7,8W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® SC-70-6 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SC-70-6 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 3,70000 zł | 3,70 zł |
| 10 | 2,30200 zł | 23,02 zł |
| 100 | 1,50130 zł | 150,13 zł |
| 500 | 1,15744 zł | 578,72 zł |
| 1 000 | 1,04661 zł | 1 046,61 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,90576 zł | 2 717,28 zł |
| 6 000 | 0,83485 zł | 5 009,10 zł |
| 9 000 | 0,79872 zł | 7 188,48 zł |
| 15 000 | 0,75813 zł | 11 371,95 zł |
| 21 000 | 0,74115 zł | 15 564,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,70000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,55100 zł |


