
SIA938DJT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIA938DJT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIA938DJT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIA938DJT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIA938DJT-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 19 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 4,5A (Ta), 4,5A (Tc) 1,9W (Ta), 7,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIA938DJT-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 11,5nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 425pF przy 10V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 1,9W (Ta), 7,8W (Tc) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SC-70-6 podwójny |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SC-70-6 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,5A (Ta), 4,5A (Tc) | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 21,5mOhm przy 5A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,34000 zł | 4,34 zł |
| 10 | 2,71500 zł | 27,15 zł |
| 100 | 1,78180 zł | 178,18 zł |
| 500 | 1,38030 zł | 690,15 zł |
| 1 000 | 1,25089 zł | 1 250,89 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,08653 zł | 3 259,59 zł |
| 6 000 | 1,00377 zł | 6 022,62 zł |
| 9 000 | 0,96161 zł | 8 654,49 zł |
| 15 000 | 0,91426 zł | 13 713,90 zł |
| 21 000 | 0,88622 zł | 18 610,62 zł |
| 30 000 | 0,85897 zł | 25 769,10 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,34000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,33820 zł |

