Name: SIA921EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 5.166 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIA921EDJ-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIA921EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIA921EDJ-T1-GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 4,5A 7,8W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIA921EDJ-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 59mOhm przy 3,6A, 4,5V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 23nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 7,8W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Bazowy numer produktu SIA921
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,5A

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 28 499

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)