Name: SIA533EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 3.9606 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIA533EDJ-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIA533EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIA533EDJ-T1-GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 12V 4,5A 7,8W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIA533EDJ-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,5A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	34mOhm przy 4,6A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	420pF przy 6V
Moc - maks.	7,8W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Bazowy numer produktu	SIA533

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 191

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)