Name: SIA517DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA517DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 4.2804 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIA517DJ-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIA517DJ-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIA517DJ-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIA517DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIA517DJ-T1-GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 12V 4,5A 6,5W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIA517DJ-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 29mOhm przy 5A, 4,5V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15nC przy 8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 500pF przy 6V
Status części Aktywny	Moc - maks. 6,5W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,5A	Bazowy numer produktu SIA517

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 4 670

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)