Name: SI7949DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7949DP-T1-E3TR-ND
Price: 11.1684 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7949DP-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7949DP-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7949DP-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7949DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7949DP-T1-E3
Opis	MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	11 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 3,2A 1,5W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7949DP-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 64mOhm przy 5A, 10V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 40nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 1,5W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V	Bazowy numer produktu SI7949
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,2A

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 6 672

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	9,08000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	11,16840 zł

SI7949DP-T1-E3