Name: SI7942DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7942DP-T1-GE3TR-ND
Price: 18.4623 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7942DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI7942DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7942DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7942DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7942DP-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 3,8A 1,4W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7942DP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 49mOhm przy 5,9A, 10V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 24nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 1,4W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V	Bazowy numer produktu SI7942
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,8A