Name: SI7540ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7540ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 11.7465 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7540ADP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI7540ADP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7540ADP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7540ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7540ADP-T1-GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 12A, 9A 3,5W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7540ADP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,4V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 48nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1310pF przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 3,5W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12A, 9A	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28mOhm przy 12A, 10V	Bazowy numer produktu SI7540