
SI7252DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI7252DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 33 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 36,7A 46W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI7252DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 36,7A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 18mOhm przy 15A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 27nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1170pF przy 50V | |
Moc - maks. | 46W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,61000 zł | 10,61 zł |
| 10 | 6,87700 zł | 68,77 zł |
| 100 | 4,74230 zł | 474,23 zł |
| 500 | 3,91986 zł | 1 959,93 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 3,20250 zł | 9 607,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,61000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 13,05030 zł |











