Name: SI7106DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7106DN-T1-E3TR-ND
Price: 13.2963 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7106DN-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7106DN-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7106DN-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7106DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7106DN-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 12,5A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,2mOhm przy 19,5A, 4,5V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 27 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±12V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,5W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12,5A (Ta)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI7106