Name: SI5922DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND
Price: 4.2435 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI5922DU-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI5922DU-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI5922DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI5922DU-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6A (Tc) 10,4W Montaż powierzchniowy PowerPAK® ChipFet podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI5922DU-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 7,1nC przy 4,5V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 765pF przy 15V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 10,4W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® ChipFet podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® ChipFet podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc)	Bazowy numer produktu SI5922
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19,2mOhm przy 5A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 6 080

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)