Name: SI5922DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND
Price: 3.6039 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI5922DU-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI5922DU-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI5922DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI5922DU-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6A (Tc) 10,4W Montaż powierzchniowy PowerPAK® ChipFet podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI5922DU-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	19,2mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7,1nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	765pF przy 15V
Moc - maks.	10,4W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® ChipFet podwójny
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® ChipFet podwójny
Bazowy numer produktu	SI5922

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 9 460

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)