Name: SI5468DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5468DC-T1-GE3TR-ND
Price: 2.8659 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI5468DC-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI5468DC-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI5468DC-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI5468DC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI5468DC-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 6A (Tc) 2,3W (Ta), 5,7W (Tc) Montaż powierzchniowy 1206-8 ChipFET™
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 435 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,3W (Ta), 5,7W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 1206-8 ChipFET™
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-SMD, odprowadzenia płaskie
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI5468
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28mOhm przy 6,8A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 6 136

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)