Name: SI5403DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5403DC-T1-GE3TR-ND
Price: 7.0725 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI5403DC-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI5403DC-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI5403DC-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI5403DC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI5403DC-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 6A (Tc) 2,5W (Ta), 6,3W (Tc) Montaż powierzchniowy 1206-8 ChipFET™
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI5403DC-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	30mOhm przy 7,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1340 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 6,3W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	1206-8 ChipFET™
Obudowa / skrzynia	8-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	SI5403