SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4946BEY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4946BEY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4946BEY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4946BEY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4946BEY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 6,5A 3,7W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,5A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	41mOhm przy 5,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	840pF przy 30V
Moc - maks.	3,7W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SI4946